甬矽电子“封装永恒之塔6.0最好装备结构和封装方法”专利获授权

甬矽电子（宁波）股份有限公司“封装结构和封装方法”专利获授权，甬矽授权公告日为11月3日，电封授权公告号为CN116403918B。装结专利

专利摘要显示，构和本公开实施例提供了一种封装结构和封装方法，封装方法涉及半导体封装技术领域。获授该封装结构包括转接板以及间隔贴装在转接板上的甬矽第一器件、第二器件和第三器件，电封第一器件、装结专利第二器件和第三器件之间相互间隔设置，构和以在第三器件朝向第一器件和第二器件的封装方法一侧形成第一间隙槽，第一器件和第二器件之间形成第二间隙槽，获授第一间隙槽和第二间隙槽相互连通，甬矽形成T形沟道；第一间隙槽靠近第二间隙槽处的电封宽度减小。这样可以使得底部填充的装结专利保护胶在第一间隙槽靠近第二间隙槽处的胶量减少，从而降低此处胶体应力，防止由于胶体应力过大而出现器件隐裂等现象。

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